| 专利名称 | 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 | 申请号 | CN200510076325.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1881533 | 公开（授权）日 | 2006.12.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘喆;王军喜;钟兴儒;李晋闽;曾一平;段瑞飞;马平;魏同波;林郭强 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L31/18(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 专利有效期 | 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 至制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装 置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长 室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套 置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板 固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆 孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有 一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔 滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在 竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英 外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器， 该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上 的氨气进气孔连接。 |
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