| 专利名称 | 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 | 申请号 | CN201010231684.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101916761A | 公开（授权）日 | 2010.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 至一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将器件内部产生的热量通过导电层迅速排至外部，有效减小SOI的自热效应；而且使非绝缘性的衬底效果和完全绝缘的衬底一样；此外其可以释放界面积聚的多余电荷，缓解纵向电场对器件内部电荷分布的影响。 |
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