| 专利名称 | 具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法 | 申请号 | CN201010234273.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101916729A | 公开（授权）日 | 2010.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法 至具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有多层超结结构的SOI?LDMOS器件的制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构，且使上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列，得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构；之后再制作体区、栅区、源区、漏区和体接触区完成器件。该方法通过外延及离子注入技术形成多层超结结构，且上下两层超结结构的p/n型柱区交错排布，能够进一步提高p/n型柱区间的接触面积，且不会带来显著的副作用，保证器件的抗击穿能力比传统的超结LDMOS更高。 |
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