| 专利名称 | 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 | 申请号 | CN201010231665.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101916728A | 公开（授权）日 | 2010.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 专利有效期 | 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 至可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺，包括以下步骤：步骤一，利用键合工艺制作SOI埋氧层下的导电层；所述导电层的详细制作过程为：在第一体硅片上淀积一层阻挡层，再淀积一层电荷引导层，获得第一中间结构；在第二体硅片上热氧化形成二氧化硅层，然后淀积一层阻挡层，最后再淀积一层电荷引导层，获得第二中间结构；通过金属键合技术将所述第一中间结构和第二中间结构键合，获得SOI埋氧层下的导电层；步骤二，在具有导电层的SOI衬底上制作超结LDMOS结构。本发明能将积聚在埋氧层下界面处的电荷释放，消除纵向电场对p/n柱区电荷平衡的影响，进而完全消除衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。 |
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