| 专利名称 | SOI高压功率器件的制备方法 | 申请号 | CN201010220370.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101916727A | 公开（授权）日 | 2010.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;王中健;俞跃辉;何大伟;徐大伟;夏超 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 专利有效期 | SOI高压功率器件的制备方法 至SOI高压功率器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化层的结构上进行包括光刻、掺杂在内的处理以分别形成作为高压功率器件漏极和源极的P型区域和N型区域、以及作为栅极的栅极区域，随后在已形成P型区域和N型区域的结构的漂移区上方淀积第三氧化层，使第三氧化层和第二氧化层的厚度之和与SOI基板中的氧化夹层的厚度接近一致，最后再生成分别与P型区域、N型区域及栅极区域相接触的各金属子区域，由此形成耐高压的高压功率器件。 |
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