| 专利名称 | 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 | 申请号 | CN201010220198.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101916726A | 公开（授权）日 | 2010.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;罗杰馨;伍青青;肖德元;王曦 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 至抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构的制作方法。本发明方法制作的SOI?MOS结构，其有源区包括：体区、N型源区、N型漏区、重掺杂P型区；其N型源区由硅化物和与之相连的N型Si区两部分组成；所述重掺杂P型区位于硅化物与绝缘埋层之间，并分别与硅化物、体区、绝缘埋层及浅沟槽隔离结构相接触。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与下方的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI?MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOI?MOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。 |
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