| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110263440.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102983140A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/74(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：半导体基底；依次形成在半导体基底上的第一绝缘材料层、第一导电材料层、第二绝缘材料层、第二导电材料层、绝缘埋层；结合在绝缘埋层上的半导体层；形成在半导体层上的晶体管，晶体管的沟道区均形成于半导体层中且均具有由第二导电材料层构成的背栅；覆盖半导体层以及晶体管的介质层；用于至少将每一个晶体管与相邻晶体管电隔离的隔离结构，隔离结构的顶部与半导体层的上表面齐平或略高，且底部位于第二绝缘材料层中；以及贯穿介质层并向下延伸到第一导电材料层中的导电接触。 |
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