| 专利名称 | 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺 | 申请号 | CN200510011845.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1873954 | 公开（授权）日 | 2006.12.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宋李梅;李桦;海潮和;杜寰;夏洋 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 专利有效期 | 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺 至与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是与标准互补金属氧化物半导体 (Complementary Metal－Oxide－Semiconductor，CMOS)工艺兼 容的高压CMOS(High Voltage CMOS，HVCMOS)双栅氧制备 工艺，采用干－湿法相结合的厚栅氧刻蚀方法，并在一次多晶 硅栅刻蚀后加做一次侧墙缓和一次多晶硅栅的台阶高度。本发 明在与标准CMOS工艺相兼容的高压CMOS集成技术中可以 显著提高器件及电路性能，并具有工艺简单，成本低等优点。 |
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