| 专利名称 | 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 | 申请号 | CN201110263766.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102983163A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 至低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种有效降低了源漏接触电阻的MOSFET及其制作方法，包括：衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙、栅极侧墙两侧源漏区上的金属硅化物，其特征在于：金属硅化物与源漏区的界面处具有掺杂离子的分凝区。依照本发明的能有效降低源漏接触电阻的器件及其制造方法，在金属硅化物的源漏接触与掺杂源漏区之间的界面处具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，从而大大降低了源漏接触电阻，进一步提高了器件的性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障