| 专利名称 | 混合线条的制造方法 | 申请号 | CN201110263770.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102983067A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 唐波;闫江 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 混合线条的制造方法 至混合线条的制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；B、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；C、在第一硬掩模层上形成光刻胶掩模图形；D、以第二硬掩模图形和光刻胶掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；E、以第一和硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。依照本发明的混合线条制造方法，将同一层次图形按线条大小进行拆分，大线条用普通光学曝光，小线条用电子束曝光，旨在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间。同时采用2次硬掩膜方法有效的解决了I线光刻胶和电子束光刻胶相互影响的问题。 |
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