| 专利名称 | 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统 | 申请号 | CN200510071093.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1870224 | 公开（授权）日 | 2006.11.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李海鸥;尹军舰;张海英;和致经;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L29/45(2006.01) | 专利有效期 | 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统 至适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触 的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好 欧姆接触的新型六层金属结构镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温 度360－380度和较短的时间50－80秒内，于氮气气氛下合金 得到低的欧姆接触电阻，可达1.87E－07 Ω.cm2，合金后图形表面形貌光 滑平整、图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。本发明具有成 效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在 微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 |
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