| 专利名称 | 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法 | 申请号 | CN200510011812.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1870304 | 公开（授权）日 | 2006.11.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 贾海强;李卫;李永康;彭铭曾;朱学亮 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01) | 专利有效期 | 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法 至桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发 光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方 法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双 抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过 光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备，其结构包括：淀 积在氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极； N电极为呈点状分布于片状P电极之间的多个点状N电极；淀 积在点状N电极之间的条状绝缘介质层；以及蒸镀在条状绝缘 介质层上，并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。可以增 加P型区面积，减小结电流密度，提高内、外量子效率，并且 芯片有更高的饱和电流，大幅提高了倒装焊LED芯片的发光 效率。 |
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