| 专利名称 | 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法 | 申请号 | CN201110257855.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969238A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;杨涛;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法 至提高隔离氧化物CMP均匀性的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成垫层，在垫层上以及衬底中形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成第一盖层，第一盖层的顶部高度差等于或大于隔离氧化物层的顶部高度差；在第一盖层上形成第二盖层，第二盖层的顶部高度差小于第一盖层的顶部高度差和/或隔离氧化物层的顶部高度差；依次对第二盖层、第一盖层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露垫层。依照本发明的方法，集成在HDP淀积的工艺腔里，不用额外的工艺步骤，可以在保证填充的效果的同时可以有效的降低高度差，减少或者避免凹陷(dishing)缺陷在CMP工艺中的产生，从而提高CMP工艺的平坦化均匀性，增大CMP工艺的窗口。 |
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