| 专利名称 | 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备 | 申请号 | CN201110257878.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969239A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;杨涛 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 专利有效期 | 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备 至提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成牺牲层，牺牲层的顶部高度差小于隔离氧化物层的顶部高度差；采用相同的CMP工艺，依次对牺牲层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露衬底。依照本发明的提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备，在提高生产效率过程中提高了全局平坦化，增大了CMP工艺的窗口，避免对前层膜厚表面形貌的选择，提高生产效率的同时减少凹陷缺陷的发生。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障