| 专利名称 | 高出光率倒装结构LED的制作方法 | 申请号 | CN201210548494.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969422A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘娜;谢海忠;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 高出光率倒装结构LED的制作方法 至高出光率倒装结构LED的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进行粗化处理；刻蚀，形成台面；在台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；在一基板上依次制作一绝缘层和电路层；在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；在暴露的电路层制作一层反光层；采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。 |
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