| 专利名称 | 减小相变存储器加热电极面积的方法 | 申请号 | CN200610028107.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1870314 | 公开（授权）日 | 2006.11.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;宋志棠;刘波;冯高明;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01) | 专利有效期 | 减小相变存储器加热电极面积的方法 至减小相变存储器加热电极面积的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方 法，首先通过微纳加工技术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2 衬底上制备出较大直径的200－500nm的孔洞，接着利用CVD 或PVD技术在该孔洞中填充W、TiN等加热材料，然后进行 化学机械抛光，形成柱状加热电极。之后，在柱状加热电极上 生长量子点(如Si等)，然后将量子点氧化形成绝缘的物质(如 SiO2等)，这样就减小了柱状加热电极的有效面积，从而提高 电流密度。本发明既避免了直接制备100nm以下加热电极的困 难，降低了制造成本，更重要的是降低相变存储器的功耗。不 仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于 制备其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很 大的应用价值。 |
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