| 专利名称 | 高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法 | 申请号 | CN200510011738.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1866472 | 公开（授权）日 | 2006.11.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张海英 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 专利有效期 | 高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法 至高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及超高速微电子器件技术领域，高电子 迁移率晶体管(HEMT)电路T型栅制作方法。方法步骤：取原 始基片，进行清洗，做标记，制作隔离岛、源漏金属蒸发、剥 离、合金工艺；对基片进行清洗；涂PMMA胶；涂胶后立即 烘烤；取出基片；涂胶后立即烘烤；将涂胶后的基片送电子束 曝光；对曝光后的基片上层PMMA胶显影、定影；吹干；该 方法兼有现有技术两种T型栅制作方法的优点，同时回避了各 自的缺点，使小栅长制作工艺更简单易行，工艺上更容易实现， 有利于提高成品率，降低生产成本。 |
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