| 专利名称 | 基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置 | 申请号 | CN201220510022.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202838976U | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 苏弘;丁朋程;孔洁;王晓辉;赵红赟;佘乾顺;千奕;马晓莉;牛晓阳 | 主分类号 | G11C29/42(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C29/42(2006.01)I | 专利有效期 | 基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置 至基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及对存储器抗辐射容错技术领域，主要涉及利用FPGA实现EDAC模块的三模冗余技术对存储器单粒子翻转的容错装置与方法。一种基于EDAC模块的三模冗余对存储器的容错装置，其特征是包括有主控制器连接编码EDAC模块的并联的第一编码器、第二编码器、第三编码器，编码EDAC模块通过第一多数选举器连接存储控制器，由存储控制器连接存储器；由存储器通过存储控制器连接解码EDAC模块的三个并联的第一解码器、第二解码器、第三解码器，解码EDAC模块通过第二多数选举器连接主控制器。整个EDAC模块和多数选举器在FPGA中实现，能够有效地提高系统中存储器的抗单粒子翻转（SEU）水平。 |
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