| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201190000054.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202839584U | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(300)；SiGe弛豫层(200)，位于所述半导体衬底(300)上；NMOS晶体管，位于该SiGe弛豫层(200)上；以及PMOS晶体管，位于SiGe弛豫层(200)上。其中该NMOS晶体管包括：拉应变外延层(260n)，位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中；以及PMOS晶体管包括：压应变外延层(260p)，位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中。在该器件中沟道的应力可以被较好地保持。还提供了一种用于形成应变半导体沟道的方法。 |
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