| 专利名称 | 一种集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用 | 申请号 | CN200610026523.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1866007 | 公开（授权）日 | 2006.11.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;李鹏;左国民;王跃林;封松林 | 主分类号 | G01N33/48(2006.01) | IPC主分类号 | G01N33/48(2006.01);G01N13/10(2006.01);B81B7/00(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用 至一种集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产 生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制 作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂 梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化 形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组 装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测 分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生 弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通 过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺 实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率 高，结构简单、制作简便。 |
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