| 专利名称 | 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 申请号 | CN201110274354.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000498A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 至石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法，其中，MOSFET包括：绝缘衬底；位于绝缘衬底上的氧化物保护层；嵌入氧化物保护层中的至少一条石墨烯纳米带，其中在氧化物保护层的侧表面上暴露所述至少一条石墨烯纳米带的表面；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的沟道区；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的源/漏区，其中沟道区位于源/漏区之间；位于所述至少一条石墨烯纳米带上的栅介质层；位于栅介质层上的栅极导体层；以及在氧化物保护层的侧表面上与源/漏区相接触的源/漏接触。本发明的方法可以降低石墨烯纳米带和MOSFET的生产成本，并且可以改善MOSFET的性能。 |
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