| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110277757.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000689A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区，其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度。通过在栅区两侧形成有具有应力结构的源区和漏区，并且在沿沟道方向上源区的宽度大于漏区的宽度，这样，由于源区的面积增大，则大大增加了源区的应力积累，而在形成器件的空间有限时，源区的应力增大能够大大增加载流子在沟道中的迁移率，从而提高器件的性能。 |
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