| 专利名称 | 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法 | 申请号 | CN200610027258.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1866496 | 公开（授权）日 | 2006.11.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L45/00(2006.01) | 专利有效期 | 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法 至用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛 光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干 净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜； (3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝 缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6) 对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积 绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9) 对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线 引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路 工艺完全兼容。 |
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