| 专利名称 | 一种复合半导体层 | 申请号 | CN201210535419.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000613A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭鹏;刘东屏;韩秀峰 | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 专利有效期 | 一种复合半导体层 至一种复合半导体层 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种复合半导体层，其包括：SOI衬底，沉积于体硅材料上，且该SOI衬底上沉积有硅薄膜；场效应晶体管，在所述硅薄膜上，其源极通过第一过孔连接到第二辅助输入输出信号线上，该第二辅助输入输出信号线通过第三过孔连接到第一辅助输入输出信号线上，所述漏极通过第二过孔连接到第一金属电极上；所述第一金属电极通过第四过孔连接到第二金属电极上，且该第二金属电极的一端通过第一通孔连接到第二输入输出信号线上，在该第二金属电极另一端上依次沉积铁电层、反铁磁层、下部铁磁层、隧道绝缘势垒层、上部铁磁层、顶部覆盖层；所述反铁磁层通过第二通孔连接到第三输入输出信号线上；所述顶部覆盖层通过第五过孔连接到第一输入输出信号线上。 |
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