| 专利名称 | 含氰基高介电常数有机硅电解质材料 | 申请号 | CN201010182978.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101859913A | 公开（授权）日 | 2010.10.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 张灵志;雍天乔 | 主分类号 | H01M10/056(2010.01)I | IPC主分类号 | H01M10/056(2010.01)I;C07F7/18(2006.01)I | 专利有效期 | 含氰基高介电常数有机硅电解质材料 至含氰基高介电常数有机硅电解质材料 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种安全、有效、应用范围广的含氰基高介电常数有机硅电解质材料。其化学结构式如式I。其中R1，R2，R3选自相同或不同的C1-C10烷基或烷氧基，其中至少有一个基团为如(CH2)nO(CH2CH2O)mCH3结构的烷氧基团，n，m为0-10的整数；R4为C1-C20烷基。本发明含氰基高介电常数有机硅电解质材料可作为电解质材料或添加剂应用锂离子电池，此外还可以作为电解质材料应用于其它电化学储能器件(如电解电容和超级电容)及其它光电器件(如有机太阳能电池等)。 |
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