| 专利名称 | 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 | 申请号 | CN201010165599.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101859858A | 公开（授权）日 | 2010.10.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 刘立伟;邢振远;牛亮;宋仁升;荣吉赞;赵勇杰;耿秀梅;李伟伟;程国胜 | 主分类号 | H01L33/42(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/42(2010.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 至基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜，并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器；迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上，代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极，能够实现低成本、高亮度的发光器件，扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。 |
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