| 专利名称 | 一种纳米线压电器件的制作方法 | 申请号 | CN201010165560.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101859731A | 公开（授权）日 | 2010.10.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 文燎勇;邵铮铮;金朝;边历峰 | 主分类号 | H01L21/782(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/782(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米线压电器件的制作方法 至一种纳米线压电器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；最后在源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线，并对压电器件表面采用聚二甲基硅氧烷封装。本发明制作方法具有制作工艺简单、适用范围广泛、节省成本等优点，极大地提高了压电器件的产品率；其应用实施后制得的纳米线压电器件，能实现大量纳米线同时工作产生电能，并结合封装工艺提高了该压电器件的稳定性和输出功率。 |
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