| 专利名称 | 一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法 | 申请号 | CN200910241587.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102082018A | 公开（授权）日 | 2011.06.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 温振超;于国强;王译;魏红祥;张曙丰;韩秀峰 | 主分类号 | H01F10/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/32(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法 至一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种磁性多层膜单元，包括磁性多层膜核心单元和磁矩控制单元，所述多层膜核心单元包括自由层，所述磁矩控制单元包括两个导电层，所述多层膜核心单元的自由层位于所述两个导电层所形成的电场中。另外，本发明还提供了相应的磁性多层膜单元制备方法和磁矩翻转控制方法。本发明极大的降低了器件的功耗；能够提高器件的集成度；制备工艺与半导体工艺相兼容，有利于发展大规模工业生产；有利于自旋电子学器件的小型化；具有抗辐射的优点。本发明的磁性多层膜可广泛应用于未来计算机信息通讯产业领域中的逻辑器件、非易失性存储器、自旋晶体管以及各种传感器等自旋电子学器件中。本发明有利于拓宽自旋电子学器件的应用范围。 |
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