| 专利名称 | 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用 | 申请号 | CN201010189172.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101857774A | 公开（授权）日 | 2010.10.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 汪海波;宋志棠;刘卫丽 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用 至一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用，本发明的抛光组合物，包括水、磨料和氟离子速率促进剂，所述抛光组合物的pH值为碱性，且金属杂质含量在100ppm以下。本发明的抛光组合物能显著提高抛光速率与表面质量，提高生产效率，减小抛光后清洗难度，并且本抛光液不含金属杂质，不会对抛光后硅片产生不利的影响。 |
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