| 专利名称 | 金属基极有机晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN200610016875.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1851954 | 公开（授权）日 | 2006.10.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 马东阁;仪明东;于顺洋;游汉;冯陈刚 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 专利有效期 | 金属基极有机晶体管及其制备方法 至金属基极有机晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质 的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构，把金属 基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高 掺杂硅衬底上，制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/ 有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备 的器件直接用直流电流驱动，得到的器件的共基极增益接近于 1，共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单，成本 低。 |
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