| 专利名称 | 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法 | 申请号 | CN200510056280.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1847984 | 公开（授权）日 | 2006.10.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;陈宝钦;谢常青 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 专利有效期 | 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法 至全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 一种采用全透明无铬移相掩模实现100纳米图形 加工的方法，具有优化处理的掩模图形数据；合适的掩模图形 曝光工艺；合适的显影条件；严格控制铬模腐蚀条件；曝光后 的掩模处理工艺；选择干法刻蚀的移相器制作工艺，合适的移 相层厚度的确定等特点，且采用g线436nm波长的光源制备出 分辨率高的100nm图形。本发明方法，大大提高了g线436nm 波长光源的曝光分辨率，使得我们在没有昂贵的193nm波长光 源的光学光刻设备(在1100万美元)的情况下，也能曝光出分辨 率非常高的图形。本发明是一种经济实用的制造100nm图形的 新方法，可以满足纳米电子器件研究迫切需要廉价的纳米加工 手段的需求。 |
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