| 专利名称 | 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法 | 申请号 | CN200510056279.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1847983 | 公开（授权）日 | 2006.10.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;徐秋霞;陈宝钦;龙世兵;牛洁斌 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 专利有效期 | 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法 至电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套 准标记的制备方法，包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套 准标记的设计；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用 光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法 刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适 的修正方法查找标记等。该方法实现了电子束曝光系统和光学 曝光系统的混合和匹配曝光，其套准精度优于100nm，使我们 在缺乏昂贵的193nm投影光刻机的情况下，利用电子束曝光纳 米尺寸的图形，而用普通的365nm光学投影光刻机曝光其它大 尺寸的图形。本发明方法结合了电子束系统曝光的高分辨率和 光学投影光刻机的高效率，大大提高了纳米器件和电路的研制 效率。 |
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