| 专利名称 | 一种替代栅的制备方法 | 申请号 | CN200510011506.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1841666 | 公开（授权）日 | 2006.10.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;李瑞钊 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 专利有效期 | 一种替代栅的制备方法 至一种替代栅的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于超深亚微米及以下特征尺寸半导体 器件制备方法，特别涉及用于超深亚微米金属栅CMOS制造的 一种替代栅制备技术。用金属作栅电极，可以从根本上消除栅 耗尽效应和硼穿透现象，同时获得非常低的栅电极薄层电阻。 本发明采用嵌入式金属栅CMOS工艺(即替代栅制备工艺)实现 了一种新颖的金属栅CMOS技术。在这种嵌入式金属栅CMOS 工艺中，主要关键技术之一是一套替代栅的制备技术，它包括 替代栅材料的选取，精细的替代栅图形的成形，平坦化和替代 栅的去除。 |
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