| 专利名称 | 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法 | 申请号 | CN200610024615.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1838384 | 公开（授权）日 | 2006.09.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王笑龙;于广辉;隋妍萍;雷本亮;齐鸣;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/322(2006.01) | 专利有效期 | 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法 至一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀 中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN 基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退 火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生 长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的 典型真空度(生长室背景压力约为10－ 9torr，通入氮等离子体时压力为 8*10－5torr。)。该方法不仅改善 了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀 产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时 重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材 料的电学和光学特性得到回升。 |
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