| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110104362.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102760762A | 公开（授权）日 | 2012.10.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构周围的栅极隔离侧墙、位于衬底中栅极结构两侧的源漏区、位于所述源漏区中的外延生长的金属硅化物、位于所述金属硅化物上的源漏金属接触，其特征在于：所述金属硅化物与所述栅极隔离侧墙接触，使得所述栅极隔离侧墙与所述源漏接触金属之间具有所述金属硅化物。金属硅化物具备良好的热稳定性，能够经受消除高k栅介电材料层缺陷的高温退火，因此可以在高k栅介电材料层之前而形成，使得所形成的金属硅化物不仅仅位于接触孔内，还位于整个源漏区上，特别是位于接触孔与栅极隔离侧墙之间的间隙内，从而大幅降低了源漏寄生电阻，提高了器件的电学性能。 |
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