适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法

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专利名称 适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法 申请号 CN200510135207.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1832035 公开(授权)日 2006.09.13 申请(专利权)人 中国科学院计算技术研究所 发明(设计)人 郭勐;王贞松 主分类号 G11C11/409(2006.01) IPC主分类号 G11C11/409(2006.01);G11C7/00(2006.01);G06F12/00(2006.01) 专利有效期 适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法 至适合矩阵转置的DDR存储控制器及矩阵行列访问方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种适合矩阵转置的DDR存储控 制器,适用于DDR SDRAM存储器,包括:数据通道、地址 生成单元、工作模式配置单元、中心控制单元、时钟单元、读 数据总线、写数据总线、地址总线、配置总线和控制总线,还 包括存储颗粒A接口单元、存储颗粒B接口单元。本发明还 提供了一种矩阵行列访问方法,可以完全隐藏DDR颗粒的操 作开销,实现不间断的数据传输;并在完成矩阵行访问和矩阵 列访问时,都能够充分利用DDR颗粒2倍数据率的特性。

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