实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法

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专利名称 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法 申请号 CN200610023827.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1832050 公开(授权)日 2006.09.13 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 宋志棠;吴良才;刘波;封松林 主分类号 G11C29/00(2006.01) IPC主分类号 G11C29/00(2006.01);G01R31/00(2006.01) 专利有效期 实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法 至实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖 与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法,其特征在于 将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中,缓慢调节探 针升降旋钮,先粗调后细调,当探针针尖和样品表面接触时, 外围直流电路导通,串接在直流回路中的报警器报警,表明针 尖与样品已经接触上,可以进行样品的电学性能测量;具有有 效地保护样品,避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎 穿,造成上、下电极短路;可以保护针尖本身,避免压力过大 使针尖翘曲、变形,甚至断裂;可以实现低温、高温或其它环 境下探针与电极的可靠接触。

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