| 专利名称 | 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 | 申请号 | CN200610023732.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1828837 | 公开（授权）日 | 2006.09.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷本亮;于广辉;王笑龙;齐鸣;孟胜;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01) | 专利有效期 | 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 至以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓 (GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于 首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合 等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到 多孔GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应 室，在N2气氛下升温750－850 ℃，通NH3保护模板的GaN层， 于1000－1100℃开始通HCL进行GaN生长；本发明仅需采用 电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多 孔网状结构来作为GaN外延的掩膜，大大简化了光刻制作掩 膜的工艺。 |
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