| 专利名称 | 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法 | 申请号 | CN200610023390.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1825649 | 公开（授权）日 | 2006.08.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01) | 专利有效期 | 用于相变存储器的加热电极材料及制备方法 至用于相变存储器的加热电极材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为GexWyN1－x－y、GexTiyN1－x－y、GexWyO1－x－y、GexTiyO1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。 |
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