| 专利名称 | 用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法 | 申请号 | CN200510008009.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1818789 | 公开（授权）日 | 2006.08.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;叶甜春;谢常青;张建宏 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 专利有效期 | 用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法 至用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种采用电子束大小电流混合一次 曝光制备X射线掩模的方法。该方法，将电子束曝光版图剖分 为二部分，即精细图形和其它的大图形；将剖分后的大小版图 图形按不同条件进行转换；用二个不同的路径编辑曝光文件； 对剖分后的大小版图图形分别赋予不同的工作参数(EOS)表； 对剖分后的大小版图图形分别赋予不同的曝光剂量和曝光电 流；将二次曝光的初始位置和剖分后的大小版图图形的版架位 置设定为同一值。本发明在使用电子束制备X射线掩模时，在 保证电子束的高分辨率时也大大提高了其效率。 |
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