| 专利名称 | 一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置 | 申请号 | CN200610024706.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1818689 | 公开（授权）日 | 2006.08.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曹菲;董显林;王根水;李建潼 | 主分类号 | G01R31/00(2006.01) | IPC主分类号 | G01R31/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置 至一种铁电薄膜材料I－V特性的测量方法及测量装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种铁电薄膜材料I－V特性的测量 方法及装置，属于铁电薄膜材料测试领域。本发明的装置包括 样品台(1)、探针台(2)、静电计(3)、屏蔽罩(4)、计算机及自动 控制和数据处理软件(5)，本发明的测量方法采用自编软件实现 自动控制测量以及数据采集和处理，测得的铁电薄膜材料在不 同电压下的漏电流值更接近于样品的真实漏电流值。本发明综 合考虑了铁电薄膜材料的自发极化电流、介质极化电流、漏电 流以及老化电流对I－V特性测量的影响，设计了一套简便易 行的、能够准确测量铁电薄膜材料I－V特性的方法及装置， 既可以适用于SrTiO3等室温为 顺电相的薄膜材料，也可以适用于PZT、SBT等室温为铁电相 的铁电薄膜材料。 |
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