| 专利名称 | 一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法 | 申请号 | CN200510112299.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1819291 | 公开（授权）日 | 2006.08.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 冯飞;熊斌;杨广立;王跃林 | 主分类号 | H01L35/34(2006.01) | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01);G01J5/12(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法 至一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械 红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层， 采用SiO2、 SiNx、SiC、Au、Al及Cr等 XeF2 气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏 感部分，采用SiO2、 SiNx、SiC、Au、Al及Cr等 XeF2气体几乎不腐蚀的材料制 作锚或对锚进行保护，最后采用 XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像 素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放， 避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作 成本且与IC工艺相兼容。 |
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