| 专利名称 | 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺 | 申请号 | CN200610024251.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1815363 | 公开（授权）日 | 2006.08.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01);G11C11/00(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺 至一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法 刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～ 30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面 活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺 步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以 及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt 或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻 蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积 SiO2，形成的器件结构。本工艺 充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条 件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后 离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。 |
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