| 专利名称 | 高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 | 申请号 | CN200610024146.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1810719 | 公开（授权）日 | 2006.08.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曾宇平;丁书强;江东亮 | 主分类号 | C04B35/584(2006.01) | IPC主分类号 | C04B35/584(2006.01);C04B38/00(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 专利有效期 | 高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 至高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种以高纯度、低介电常数的二氧化 硅结合的 Si3N4多孔陶瓷及制备方法，其特征在于石墨为造孔剂、以外加 或氮化硅颗粒表面氧化生成的二氧化硅为结合相的氮化硅多 孔陶瓷利用外加和氮化硅颗粒表面氧化生成的二氧化硅在高 温下的烧结把氮化硅颗粒结合起来，利用粉料颗粒堆积成孔或 造孔剂氧化烧除成孔，从而得到二氧化硅结合的氮化硅多孔陶 瓷。 Si3N4∶SiO2∶石墨＝0～100∶ 0～30∶0～25(重量比)，加入酚醛树脂和乙醇，混合后球磨、 烘干、研磨、过筛、干压成型，然后在空气中烧成，得到二氧 化硅结合的氮化硅多孔陶瓷。所得多孔陶瓷的抗弯强度可达 137MPa，总孔隙率10～60％，常温介电常数2～7(1GHz)，可 用于常温和高温环境下使用的天线罩、催化剂载体等材料。 |
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