| 专利名称 | 二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法 | 申请号 | CN200510112298.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1807221 | 公开（授权）日 | 2006.07.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 冯飞;熊斌;杨广立;王跃林 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 专利有效期 | 二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法 至二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种 XeF2腐蚀过程中锚的制作方法， 其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、 Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不 腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直 接采用XeF2气体几乎不腐蚀的 材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的 保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及 填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由 保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述 五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可 准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低 生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件) 的占空比，改进器件性能。 |
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