| 专利名称 | 一种制备相变存储器纳米加热电极的方法 | 申请号 | CN200510111118.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1808706 | 公开（授权）日 | 2006.07.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L45/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种制备相变存储器纳米加热电极的方法 至一种制备相变存储器纳米加热电极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极 的方法，首先通过微纳加工技术，在 SiO2衬底上制备较大尺寸的孔 洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞 中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里 填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材 料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免 了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环 状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的 效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样 适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极 的制备，具有很大的应用价值。 |
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