一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法

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专利名称 一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法 申请号 CN200610008278.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1807678 公开(授权)日 2006.07.26 申请(专利权)人 中国科学院力学研究所 发明(设计)人 樊菁 主分类号 C23C14/24(2006.01) IPC主分类号 C23C14/24(2006.01);C23C14/56(2006.01) 专利有效期 一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法 至一种建立在流场理论基础上的制备多组分薄膜的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种建立在流场理论基础上的制 备多组分薄膜的方法,该方法根据真空室内多个蒸发源同时蒸 发时所形成的蒸气粒子的流场分布状况,将基片置于蒸发源上 方,切基片平行于蒸发面。在基片所处的流场横断面上,多元 蒸气粒子具有与待制备薄膜相同摩尔组分分布比例的分布带, 使基片在所述流场横断面中沿所述蒸气粒子分布带运动,以沉 积出具有所需摩尔组分分布比例的薄膜,基片的运动速度与所 述分布带中粒子的分布密度相协调,所制备薄膜的面积与所述 分布带的宽度相对应。本发明方法充分利用了蒸汽粒子在流场 中的分布规律,克服了现有技术依靠经验制备多元薄膜所存在 的问题,为多组分薄膜在产业上的推广应用创造了条件。

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