| 专利名称 | 600－700nm波段傅立叶变换光致发光谱方法及装置 | 申请号 | CN200610023426.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1804592 | 公开（授权）日 | 2006.07.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邵军;陆卫;越方禹;吕翔;李志锋;郭少令;褚君浩 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01) | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01);G01N21/27(2006.01) | 专利有效期 | 600－700nm波段傅立叶变换光致发光谱方法及装置 至600－700nm波段傅立叶变换光致发光谱方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种600－700nm波段傅立叶变换 光致发光谱方法及装置。该装置包括具有步进扫描功能的傅立 叶变换红外光谱测量系统，作为激发光源的激光器、以及连接 傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器、 置于样品与激光器之间光路上的斩波器，从而使连续激发光变 为幅度调制激发光，并馈入锁相放大器的输入参考端来控制锁 相。该方法使用上述装置进行可见/近红外波段调制光致发光谱 测量，包括消除傅立叶变换红外光谱仪内部氦氖激光的干扰； 消除傅立叶频率和增强可见/红外波段光致发光微弱信号的探 测能力三个功能。经过对发光峰位于600－700nm附近的 InGaP/A1GaInP多量子阱材料进行光致发光谱的测试。表明： 本发明显著提高探测灵敏度和光谱信噪比，并具有快速、便捷 的优点，特别适用于600－700nm波段半导体材料微弱光致发 光特性的检测。 |
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