| 专利名称 | 多源蒸发物理气相沉积系统 | 申请号 | CN200610001881.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1804106 | 公开（授权）日 | 2006.07.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院力学研究所 | 发明（设计）人 | 樊菁;舒勇华;刘宏立 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01) | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01);C23C14/56(2006.01);C23C14/54(2006.01) | 专利有效期 | 多源蒸发物理气相沉积系统 至多源蒸发物理气相沉积系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了多源蒸发物理气相沉积系统，包括 真空子系统、多蒸发源子系统、运动子系统和加热子系统；真 空子系统包括真空室和真空获得系统，真空获得系统保证真空 室内流场的均匀分布；多蒸发源子系统包括多个蒸发源，根据 薄膜组分的数量，相应数量的蒸发源同时同向蒸发形成蒸气粒 子流场；运动子系统实现基片在流场内的平面运动，基片表面 及其运动平面垂直于蒸发面；加热子系统用于基片的加热保证 表面温度分布的均匀性。采用本系统制备薄膜时，基片的运动 轨迹和速度都是按照预先设定的方案进行，可获得厚度和摩尔 组分比均匀分布的大面积薄膜，而且获得了性能优良的大面积 高k钛酸锶薄膜，本系统适于科学研究和多组分高性能功能薄 膜的产业化生产。 |
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