| 专利名称 | 菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用 | 申请号 | CN200510119001.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1803792 | 公开（授权）日 | 2006.07.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 耿延候;田洪坤;史建武 | 主分类号 | C07D333/04(2006.01) | IPC主分类号 | C07D333/04(2006.01);C07D495/04(2006.01);C07D519/00(2006.01);C07D513/04(2006.01);H01L51/30(2006.01) | 专利有效期 | 菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用 至菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于光电子材料技术领域，涉及菲/噻吩杂 化高迁移率有机半导体及将其作为传输层用于有机薄膜晶体 管。该菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体结构通式如右式。本发 明提供的菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体具有高的热稳定性 和环境稳定性，可通过真空升华的方法得到高纯度产品，且具 有高迁移率的特点，还由于在有机溶剂中溶解性极低，在器件 制备过程中可采用成熟的光刻工艺，所以作为传输层应用于有 机薄膜晶体管中，用其制备的器件在空气中稳定。 |
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